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A 0.18 /spl mu/m SiGe BiCMOS UHF VCO with auto tuning for DCT AMPS and CDMA application
Ist Teil von
2004 IEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Systems. Digest of Papers, 2004, p.471-474
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2004
Quelle
IEEE/IET Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
This paper presents a 1.3 GHz fully integrated differential LC VCO with /spl plusmn/20% tuning range (1.0 to 1.7 GHz: including coarse and fine tuning) and tank quality factor of 6 using differential spiral inductor. The measured phase noise at 60 kHz and 900 kHz offset frequency from a 1.3 GHz center frequency is -102 dBc/Hz and -123 dBc, respectively. It consumes 10 mA at 2.7 V supply. Fabricated in 0.18 /spl mu/m SiGe BiCMOS process with 78 GHz f/sub T/, the total chip area including VCO switch cap array is 360/spl times/700 /spl mu/m/sup 2/.