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A 10,000-gate CMOS LSI processor
1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers, 1980, Vol.XXIII, p.106-107
1980
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
A 10,000-gate CMOS LSI processor
Ist Teil von
  • 1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers, 1980, Vol.XXIII, p.106-107
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
1980
Quelle
IEEE/IET Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • A high-end silicon-gate CMOS microprocessor comprised of 10,000 gates, dissipating 130mW with a 400ns microinstruction cycle, will be reported. The average propagation delay time is 4-10ns/gate.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
DOI: 10.1109/ISSCC.1980.1156134
Titel-ID: cdi_ieee_primary_1156134
Format
–
Schlagworte
CMOS process, CMOS technology, Integrated circuit interconnections, Large scale integration, Logic circuits, Microprocessors, Parity check codes, Propagation delay, Registers, Silicon

Weiterführende Literatur

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