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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
A 0.32-THz 4-Transmitter Phased Array using Chiplets in 130-nm SiGe BiCMOS
Ist Teil von
  • 2023 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2023, p.757-759
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2023
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • A 0.324-THz 4-transmitter phased array has been designed with individual multiply-by-16 frequency multiplier transmitter chiplets using a 130-nm SiGe:C BiCMOS technology with an f t /f max of 350/450 GHz. The maximum effective isotropic radiated power of 14.1 dBm with an output power of 9.8 dBm has been measured, resulting in a dc-to-THz efficiency of 0.7% at 0.324 THz. Beamsteering of the 4-element phased array is presented in a measurement setup with four external phase-shifted 20-GHz input signals, revealing beam scanning over 24° in one plane. To the best of our knowledge, this is the first chiplet-based phased array demonstration with large output power using phase-lockable multiplier-based transmitters above 0.3 THz.

Weiterführende Literatur

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