Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Zur Ergebnisliste
Ergebnis 19 von 139153
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Low temperature carbon co-implantation in silicon: Defects suppression and diffusion modeling
Journal of applied physics, 2021-05, Vol.129 (19)
2021
Volltextzugriff (PDF)

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Low temperature carbon co-implantation in silicon: Defects suppression and diffusion modeling
Ist Teil von
  • Journal of applied physics, 2021-05, Vol.129 (19)
Ort / Verlag
American Institute of Physics
Erscheinungsjahr
2021
Quelle
American Institute of Physics (AIP) Journals
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0021-8979
eISSN: 1089-7550
DOI: 10.1063/5.0049782
Titel-ID: cdi_hal_primary_oai_HAL_hal_03468001v1
Format
–
Schlagworte
Physics

Weiterführende Literatur

Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX