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XPS and AES studies of UHTC ZrB2-SiC-Si3N4 treated with solar energy
Surface and interface analysis, 2014-10, Vol.46 (10-11), p.817-822
Beche, E.
Balat-Pichelin, M.
Flaud, V.
Esvan, J.
Duguet, T.
Sciti, D.
Alfano, D.
2014
Details
Autor(en) / Beteiligte
Beche, E.
Balat-Pichelin, M.
Flaud, V.
Esvan, J.
Duguet, T.
Sciti, D.
Alfano, D.
Titel
XPS and AES studies of UHTC ZrB2-SiC-Si3N4 treated with solar energy
Ist Teil von
Surface and interface analysis, 2014-10, Vol.46 (10-11), p.817-822
Ort / Verlag
Bognor Regis: Blackwell Publishing Ltd
Erscheinungsjahr
2014
Link zum Volltext
Quelle
Wiley Online Library
Beschreibungen/Notizen
The microstructure of ultra‐high‐temperature ceramics based on the ZrB2–SiC composition and a sintering additive (Si3N4) was investigated using XPS and AES techniques. These ZrB2–SiC–Si3N4 materials were treated in air plasma at high temperature (T > 1750 K) in the MESOX facility developed at the PROMES‐CNRS laboratory (Moyen d'Essai Solaire d'OXydation for the measurement of atomic oxygen recombination coefficients). The surfaces were characterized before and after the air plasma treatment. Surface modifications were observed and induced by the oxidation process. The elementary composition was determined using AES and XPS. Core level spectroscopy (XPS) was used to determine the atomic composition and the nature of the chemical bonds from the Zr 3d3/2,5/2, Si 2p1/2,3/2, O 1s and C 1s photoelectron peaks. The microstructural analyses revealed the presence of oxide layers: Silica and zirconia compounds were detected at temperatures near 1800 K, and a zirconia compound was mainly detected above 2200 K. Copyright © 2014 John Wiley & Sons, Ltd.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0142-2421
eISSN: 1096-9918
DOI: 10.1002/sia.5389
Titel-ID: cdi_hal_primary_oai_HAL_hal_01132421v1
Format
–
Schlagworte
AES
,
Chemical Sciences
,
Engineering Sciences
,
Material chemistry
,
Materials
,
silicon carbide
,
ultra-high-temperature ceramics
,
XPS
,
zirconium diboride
Weiterführende Literatur
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