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Physical review letters, 2013-10, Vol.111 (17), p.177402-177402, Article 177402
2013
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Tight-binding calculations of the optical response of optimally P-doped Si nanocrystals: a model for localized surface plasmon resonance
Ist Teil von
  • Physical review letters, 2013-10, Vol.111 (17), p.177402-177402, Article 177402
Ort / Verlag
United States: American Physical Society
Erscheinungsjahr
2013
Quelle
American Physical Society Journals
Beschreibungen/Notizen
  • We present tight-binding calculations in the random-phase approximation of the optical response of Silicon nanocrystals (Si NCs) ideally doped with large concentrations of phosphorus (P) atoms. A collective response of P-induced electrons is demonstrated, leading to localized surface plasmon resonance (LSPR) when a Si NC contains more than ≈10 P atoms. The LSPR energy varies not only with doping concentration but also with NC size due to size-dependent screening by valence electrons. The simple Drude-like behavior is recovered for NC size above 4 nm. Si NCs containing a large number of deep defects in place of hydrogenic impurities do not give rise to LSPR.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0031-9007
eISSN: 1079-7114
DOI: 10.1103/physrevlett.111.177402
Titel-ID: cdi_hal_primary_oai_HAL_hal_00877649v1

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