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Efectos fisicos en el transistor bipolar: modelacion y extraccion de parametros/Physical effects in bipolar transistor: Modeling and parameters extraction
Ist Teil von
Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones, 2015-01, Vol.36 (1), p.31
Ort / Verlag
Editorial Universitaria de la Republica de Cuba
Erscheinungsjahr
2015
Link zum Volltext
Quelle
EZB Free E-Journals
Beschreibungen/Notizen
La complejidad creciente de los sistemas electrónicos, el escalado de las dimensiones con nuevos nodos tecnológicos y el incremento de las frecuencias de trabajo, demandan circuitos integrados cada vez más exactos y estables. Para lograrlos se requiere de programas de simulación cada vez más precisos durante el proceso de diseño. El PSPICE, ampliamente utilizado para simular el comportamiento general de los circuitos integrados no considera mucho de los efectos físicos que se encuentran en los dispositivos reales. Para superar estas limitaciones, hace varias décadas se están desarrollando modelos compactos como los de HICUM y MEXTRAM basados en los efectos físicos que tienen lugar dentro de los dispositivos integrados. En este trabajo se presentan algunos aspectos físicos que no han sido estudiados con profundidad, tal como la influencia del coeficiente de emisión del emisor en la expresión del voltaje base-emisor del transistor bipolar, la explicación y modelación física del coeficiente de emisión, el efecto de la capacidad neutral en la modelación de la capacidad del emisor, así como un método de extracción del potencial de contacto [V.sub.DE] (T), cuyos resultados muestran una concordancia excelente con los resultados teóricos.