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Open Access
Macroporous Semiconductors
Materials, 2010-05, Vol.3 (5), p.3006-3076
2010
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Macroporous Semiconductors
Ist Teil von
  • Materials, 2010-05, Vol.3 (5), p.3006-3076
Ort / Verlag
Basel: MDPI AG
Erscheinungsjahr
2010
Quelle
EZB Free E-Journals
Beschreibungen/Notizen
  • Pores in single crystalline semiconductors come in many forms (e.g., pore sizes from 2 nm to > 10 µm; morphologies from perfect pore crystal to fractal) and exhibit many unique properties directly or as nanocompounds if the pores are filled. The various kinds of pores obtained in semiconductors like Ge, Si, III-V, and II-VI compound semiconductors are systematically reviewed, emphasizing macropores. Essentials of pore formation mechanisms will be discussed, focusing on differences and some open questions but in particular on common properties. Possible applications of porous semiconductors, including for example high explosives, high efficiency electrodes for Li ion batteries, drug delivery systems, solar cells, thermoelectric elements and many novel electronic, optical or sensor devices, will be introduced and discussed.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1996-1944
eISSN: 1996-1944
DOI: 10.3390/ma3053006
Titel-ID: cdi_doaj_primary_oai_doaj_org_article_a14e7de019a94d1ea897914c15ec88b4

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