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Effect of Annealing-Induced Interdiffusion on the Electronic Structure of Mid Infrared Emitting GaInAsSb/AlGaInAsSb Quantum Wells
Japanese Journal of Applied Physics, 2011-03, Vol.50 (3R), p.31202
Ryczko, Krzysztof
Sęk, Grzegorz
Motyka, Marcin
Janiak, Filip
Kubisa, Maciej
Misiewicz, Jan
Belahsene, Sofiane
Boissier, Guilhem
Rouillard, Yves
2011
Volltextzugriff (PDF)
Details
Autor(en) / Beteiligte
Ryczko, Krzysztof
Sęk, Grzegorz
Motyka, Marcin
Janiak, Filip
Kubisa, Maciej
Misiewicz, Jan
Belahsene, Sofiane
Boissier, Guilhem
Rouillard, Yves
Titel
Effect of Annealing-Induced Interdiffusion on the Electronic Structure of Mid Infrared Emitting GaInAsSb/AlGaInAsSb Quantum Wells
Ist Teil von
Japanese Journal of Applied Physics, 2011-03, Vol.50 (3R), p.31202
Erscheinungsjahr
2011
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0021-4922
eISSN: 1347-4065
DOI: 10.7567/JJAP.50.031202
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_7567_JJAP_50_031202
Format
–
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