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Effect of Annealing-Induced Interdiffusion on the Electronic Structure of Mid Infrared Emitting GaInAsSb/AlGaInAsSb Quantum Wells
Japanese Journal of Applied Physics, 2011-03, Vol.50 (3R), p.31202
2011
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Effect of Annealing-Induced Interdiffusion on the Electronic Structure of Mid Infrared Emitting GaInAsSb/AlGaInAsSb Quantum Wells
Ist Teil von
  • Japanese Journal of Applied Physics, 2011-03, Vol.50 (3R), p.31202
Erscheinungsjahr
2011
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0021-4922
eISSN: 1347-4065
DOI: 10.7567/JJAP.50.031202
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_7567_JJAP_50_031202
Format
–

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