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Advanced materials research, 2011, Vol.287-290, p.265-269
2011
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Formation of Nano-Textured Silicon Surface Layer (or Nanowires) by Silver Ion-Assisted Etching
Ist Teil von
  • Advanced materials research, 2011, Vol.287-290, p.265-269
Ort / Verlag
Trans Tech Publications Ltd
Erscheinungsjahr
2011
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
  • To obtain an ultralow surface reflectance and reach broadband antireflection effects,in this paper, silicon nanowires (SiNWs) layer has been fabricated by low-cost and easy-made silver-assisted etching techniques.The morphologies, reflectance and surface recombination of the samples were separately characterized. The ultralow reflectance below 3% from 300 to 800 nm under normal incidence has been realized in the case of ~ 1 μm long SiNWs whose geometry structures approximate to multi-layer gratings stack and the refractive index gradually increases from the top to the bottom of substrate. However, surface recombination of SiNWs deteriorates due to numerous dangling bonds and residual silver. Therefore, a trade-off between antireflection effect and recombination loss is the key to the electronic device.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1022-6680, 1662-8985
eISSN: 1662-8985
DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.287-290.265
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_4028_www_scientific_net_AMR_287_290_265
Format

Weiterführende Literatur

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