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Photoelectrochemical etching of GaN
MRS proceedings, 1997, Vol.468, Article 349
1997

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Photoelectrochemical etching of GaN
Ist Teil von
  • MRS proceedings, 1997, Vol.468, Article 349
Ort / Verlag
New York, USA: Cambridge University Press
Erscheinungsjahr
1997
Link zum Volltext
Beschreibungen/Notizen
  • A photoelectrochemical etching process for n-type GaN using KOH solution and broad-area Hg arc lamp illumination is described. Etch rates as high as 320 nm/min are obtained. The etch rate is investigated as a function of light intensity for stirred and unstirred solutions. Preliminary results on etching of Al0.1Ga0.9N layers are reported.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0272-9172
eISSN: 1946-4274
DOI: 10.1557/PROC-468-349
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1557_PROC_468_349
Format
–

Weiterführende Literatur

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