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Im Zuge der immer höheren Integrationsdichte in der Halbleiterindustrie steigt der Bedarf, Strukturen mit Auflösungen im Sub-Nanometerbereich messen zu können. Grundlage für unterschiedliche optische und elektronenmikroskopische Verfahren zur Strukturbreitenmessung ist die Quantifizierung von Geometrieparametern an Kantenübergängen durch sondenmikroskopische Abtastung der Oberfläche. Dieser Artikel beschreibt ein Verfahren Strukturkanten mittels Einzelpunktantastung mit Kraftmikroskopen abzutasten. Wesen dieser Strategie ist, die Sonde aus zur lokalen Oberflächenneigung passender Richtung antasten zu lassen. Dies liefert die Möglichkeit, Steigung und Verrundung der Kante sowie den Kantenfuß zu ermitteln.
The increase of integration density in semiconductor industry calls for the ability to measure structures with subnanometer resolution. The quantitative estimation of geometry parameters of edges by tactile probe microscopy forms a basis for CD measurements with various optical and electron microscopic procedures. This article describes a procedure for sampling edges with single point probing. Main feature of this strategy is approaching nanosized structures from directions according to the surface slope in order to estimate slope, foot, and round of edges.