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Hydrogen Termination Effect on the Growth of Cu/Si(111)
Ist Teil von
Hyomen Kagaku, 1996/07/10, Vol.17(7), pp.401-405
Ort / Verlag
The Surface Science Society of Japan
Erscheinungsjahr
1996
Link zum Volltext
Quelle
EZB Electronic Journals Library
Beschreibungen/Notizen
The hydrogen mediated growth process of Cu films on Si(111) surfaces is observed by medium energy ion scattering (MEIS), RHEED and AES. At room temperature, the role of hydrogen is not so prominent in the growth process. At high temperatures, however, formation of islands is observed. This indicates that the surface diffusion of Cu atoms is enhanced by the hydrogen termination.