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Low-Temperature Characteristics of Ambipolar SiO 2 /Si/SiO 2 Hall-Bar Devices
Japanese Journal of Applied Physics, 2007-04, Vol.46 (4S), p.2596
2007
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Low-Temperature Characteristics of Ambipolar SiO 2 /Si/SiO 2 Hall-Bar Devices
Ist Teil von
  • Japanese Journal of Applied Physics, 2007-04, Vol.46 (4S), p.2596
Erscheinungsjahr
2007
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0021-4922
eISSN: 1347-4065
DOI: 10.1143/JJAP.46.2596
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1143_JJAP_46_2596
Format
–

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