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Doping of silicon layers from a sublimating erbium source in molecular beam epitaxy
Technical physics letters, 2000-01, Vol.26 (1), p.41-43
2000
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Doping of silicon layers from a sublimating erbium source in molecular beam epitaxy
Ist Teil von
  • Technical physics letters, 2000-01, Vol.26 (1), p.41-43
Erscheinungsjahr
2000
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1063-7850
eISSN: 1090-6533
DOI: 10.1134/1.1262734
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1134_1_1262734
Format
–

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