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Comparison of Total Ionizing Dose Effects in 16nm Core and I/O n-FinFETs
IEEE transactions on nuclear science, 2024, p.1-1
2024

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Comparison of Total Ionizing Dose Effects in 16nm Core and I/O n-FinFETs
Ist Teil von
  • IEEE transactions on nuclear science, 2024, p.1-1
Erscheinungsjahr
2024
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Xplore Digital Library
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0018-9499
eISSN: 1558-1578
DOI: 10.1109/TNS.2024.3353189
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1109_TNS_2024_3353189
Format
–

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