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Wake-Up Free La-Doped HfO 2 -ZrO 2 Ferroelectrics Achieved With an Atomic Layer-Specific Doping Technique
IEEE electron device letters, 2022-10, Vol.43 (10), p.1665-1668
2022
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Wake-Up Free La-Doped HfO 2 -ZrO 2 Ferroelectrics Achieved With an Atomic Layer-Specific Doping Technique
Ist Teil von
  • IEEE electron device letters, 2022-10, Vol.43 (10), p.1665-1668
Erscheinungsjahr
2022
Quelle
IEEE Explore
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0741-3106
eISSN: 1558-0563
DOI: 10.1109/LED.2022.3203472
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1109_LED_2022_3203472
Format
–

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