Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Zur Ergebnisliste
Ergebnis 20 von 103
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
High-Mobility Normally OFF Al 2 O 3 /AlGaN/GaN MISFET With Damage-Free Recessed-Gate Structure
IEEE electron device letters, 2018-11, Vol.39 (11), p.1720-1723
2018

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
High-Mobility Normally OFF Al 2 O 3 /AlGaN/GaN MISFET With Damage-Free Recessed-Gate Structure
Ist Teil von
  • IEEE electron device letters, 2018-11, Vol.39 (11), p.1720-1723
Erscheinungsjahr
2018
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Electronic Library Online
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0741-3106
eISSN: 1558-0563
DOI: 10.1109/LED.2018.2872637
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1109_LED_2018_2872637
Format
–

Weiterführende Literatur

Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX