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Electronic structure of Ga 1 − x Cr x N and Si-doping effects studied by photoemission and x-ray absorption spectroscopy
Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2008-07, Vol.78 (3), Article 033304
Song, G. S.
Kobayashi, M.
Hwang, J. I.
Kataoka, T.
Takizawa, M.
Fujimori, A.
Ohkouchi, T.
Takeda, Y.
Okane, T.
Saitoh, Y.
Yamagami, H.
Chang, F.-H.
Lee, L.
Lin, H.-J.
Huang, D. J.
Chen, C. T.
Kimura, S.
Funakoshi, M.
Hasegawa, S.
Asahi, H.
2008
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Details
Autor(en) / Beteiligte
Song, G. S.
Kobayashi, M.
Hwang, J. I.
Kataoka, T.
Takizawa, M.
Fujimori, A.
Ohkouchi, T.
Takeda, Y.
Okane, T.
Saitoh, Y.
Yamagami, H.
Chang, F.-H.
Lee, L.
Lin, H.-J.
Huang, D. J.
Chen, C. T.
Kimura, S.
Funakoshi, M.
Hasegawa, S.
Asahi, H.
Titel
Electronic structure of Ga 1 − x Cr x N and Si-doping effects studied by photoemission and x-ray absorption spectroscopy
Ist Teil von
Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2008-07, Vol.78 (3), Article 033304
Erscheinungsjahr
2008
Quelle
PROLA
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1098-0121
eISSN: 1550-235X
DOI: 10.1103/PhysRevB.78.033304
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1103_PhysRevB_78_033304
Format
–
Weiterführende Literatur
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