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Electronic structure of Ga 1 − x Cr x N and Si-doping effects studied by photoemission and x-ray absorption spectroscopy
Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2008-07, Vol.78 (3), Article 033304
2008

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Electronic structure of Ga 1 − x Cr x N and Si-doping effects studied by photoemission and x-ray absorption spectroscopy
Ist Teil von
  • Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2008-07, Vol.78 (3), Article 033304
Erscheinungsjahr
2008
Link zum Volltext
Quelle
PROLA - Physical Review Online Archive
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1098-0121
eISSN: 1550-235X
DOI: 10.1103/PhysRevB.78.033304
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1103_PhysRevB_78_033304
Format
–

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