Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Zur Ergebnisliste
Ergebnis 21 von 50
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Resonant Raman scattering in GaAsN: Mixing, localization, and impurity band formation of electronic states
Physical review. B, Condensed matter, 2003-05, Vol.67 (20), Article 205325
2003

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Resonant Raman scattering in GaAsN: Mixing, localization, and impurity band formation of electronic states
Ist Teil von
  • Physical review. B, Condensed matter, 2003-05, Vol.67 (20), Article 205325
Erscheinungsjahr
2003
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0163-1829
eISSN: 1095-3795
DOI: 10.1103/PhysRevB.67.205325
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1103_PhysRevB_67_205325
Format
–

Weiterführende Literatur

Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX