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High-order-harmonic generation of a doped semiconductor
Physical review. A, 2017-10, Vol.96 (4), Article 043425
2017
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
High-order-harmonic generation of a doped semiconductor
Ist Teil von
  • Physical review. A, 2017-10, Vol.96 (4), Article 043425
Erscheinungsjahr
2017
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 2469-9926
eISSN: 2469-9934
DOI: 10.1103/PhysRevA.96.043425
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1103_PhysRevA_96_043425
Format
–

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