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Carrier doping into a superconducting BaPb 0.7 Bi 0.3 O 3− δ epitaxial film using an electric double-layer transistor structure
Superconductor science & technology, 2018-06, Vol.31 (6), p.65004
2018

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Carrier doping into a superconducting BaPb 0.7 Bi 0.3 O 3− δ epitaxial film using an electric double-layer transistor structure
Ist Teil von
  • Superconductor science & technology, 2018-06, Vol.31 (6), p.65004
Erscheinungsjahr
2018
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0953-2048
eISSN: 1361-6668
DOI: 10.1088/1361-6668/aabb4c
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1088_1361_6668_aabb4c
Format
–

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