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A 1.5 µm n-type InGaAsP/InGaAsP modulation-doped multiple quantum well DFB laser by MOCVD
Semiconductor science and technology, 2006-03, Vol.21 (3), p.306-310
2006

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
A 1.5 µm n-type InGaAsP/InGaAsP modulation-doped multiple quantum well DFB laser by MOCVD
Ist Teil von
  • Semiconductor science and technology, 2006-03, Vol.21 (3), p.306-310
Ort / Verlag
IOP Publishing
Erscheinungsjahr
2006
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0268-1242
eISSN: 1361-6641
DOI: 10.1088/0268-1242/21/3/018
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1088_0268_1242_21_3_018
Format
–

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