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Reduction of the Mg acceptor activation energy in GaN, AlN, Al 0.83 Ga 0.17 N and Mg Ga δ -doping (AlN) 5 /(GaN) 1 : the strain effect
Journal of physics. D, Applied physics, 2015-12, Vol.48 (47), p.475104
2015

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Reduction of the Mg acceptor activation energy in GaN, AlN, Al 0.83 Ga 0.17 N and Mg Ga δ -doping (AlN) 5 /(GaN) 1 : the strain effect
Ist Teil von
  • Journal of physics. D, Applied physics, 2015-12, Vol.48 (47), p.475104
Erscheinungsjahr
2015
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0022-3727
eISSN: 1361-6463
DOI: 10.1088/0022-3727/48/47/475104
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1088_0022_3727_48_47_475104
Format
–

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