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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Effect of thermal annealing on luminescence properties of Eu,Mg-codoped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy
Ist Teil von
  • Applied physics letters, 2013-04, Vol.102 (14)
Erscheinungsjahr
2013
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
  • The effects of thermal annealing on Eu,Mg-codoped GaN (GaN:Eu,Mg) grown by organometallic vapor phase epitaxy were investigated. After annealing in nitrogen ambient, Eu-Mg related photoluminescence emission was quenched to 13% without a change in the spectral shape. The quenched emission recovered to 65% of the original intensity after a subsequent annealing in ammonia ambient. Combined excitation emission spectroscopy and time-resolved photoluminescence results revealed that the quenching behavior is attributed to a nonradiative process induced by unpassivated Mg acceptors in the relaxation of excited 4f electrons of Eu ions.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.4800447
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_4800447
Format

Weiterführende Literatur

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