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In this contribution we demonstrate both experimentally and theoretically the possibility to control the profile of internal electric field by compensation of the space charge formed by carriers trapped at deep levels
Q
T
with space charge present due to band bending at the metal/CdTe interface
Q
M
. The demonstrated mechanism represents a promising way to decrease the problems associated with charge collection efficiency in CdTe x-ray detectors operated at high fluxes of x-ray photons.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.3598414
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_3598414
Format
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Weiterführende Literatur
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