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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
At the limit of total silane gas utilization for preparation of high-quality microcrystalline silicon solar cells at high-rate plasma deposition
Ist Teil von
  • Applied physics letters, 2011-05, Vol.98 (21), p.211501-211501-3
Ort / Verlag
American Institute of Physics
Erscheinungsjahr
2011
Quelle
AIP Journals Complete
Beschreibungen/Notizen
  • It was aimed to find a regime for high-rate deposition of microcrystalline silicon with a silane gas utilization rate close to 100%. It is found that state-of-the art solar cells can be prepared at such conditions. The interdependencies of the relevant deposition parameters were identified in an experimental study in a multidimensional parameter space in which for each condition the μ c-Si crystalline volume fraction was optimized to find the "optimum phase mixture." It is concluded that choice of the deposition pressure has a critical influence on the silane gas utilization rate and deposition rate.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.3593377
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_3593377
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Weiterführende Literatur

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