Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
We show that single-crystal silicon supersaturated with sulfur (S), selenium (Se), or tellurium (Te) displays a substantially enhanced absorption coefficient for light with wavelengths of 400 to 1600 nm. Alloys were prepared in silicon on insulator wafers by ion implantation followed by nanosecond pulsed laser melting. Measurements of the absorption coefficient were made by direct transmission through freestanding thin films and by spectroscopic ellipsometry.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.3567759
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_3567759
Format
–
Weiterführende Literatur
Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX