Ergebnis 3 von 92
Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Clustering effects in Ga(AsBi)
Ist Teil von
  • Applied physics letters, 2010-03, Vol.96 (13), p.131115-131115-3
Ort / Verlag
American Institute of Physics
Erscheinungsjahr
2010
Link zum Volltext
Quelle
AIP Journals Complete
Beschreibungen/Notizen
  • The photoluminescence from a Ga(AsBi) sample is investigated as a function of pump power and lattice temperature. The disorder-related features are analyzed using a Monte Carlo simulation technique. A two-scale approach is introduced to separately account for cluster localization and alloy disorder effects. The corresponding characteristic energy scales of 11 and 45 meV are deduced from the detailed comparison between experiment and simulation.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.3374884
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_3374884
Format

Weiterführende Literatur

Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX