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SnO thin films were fabricated by electron beam evaporation on (100) Si and
c
- and
r
-plane
Al
2
O
3
substrates. The films grown at
25
°
C
are nanocrystalline, while the films grown at
600
°
C
are epitaxial on
r
-plane
Al
2
O
3
and (001) textured on Si and
c
-plane
Al
2
O
3
. The SnO films have an optical band gap of 2.82-2.97 eV and
p
-type conductivity, according to Hall measurements, with resistivities of
0.5
-
110
Ω
cm
, hole concentrations of
10
17
-
10
19
cm
−
3
, and Hall mobilities of
0.1
-
2.6
cm
2
/
Vs
. The
p
-type conductivity, which appears to correlate with
V
Sn
, can be enhanced via Y- and Sb-doping. Defect complexes of
Sb
Sn
−
2
V
Sn
are suggested to be the acceptors in Sb-(or Y-) doped SnO films.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.3277153
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_3277153
Format
–
Weiterführende Literatur
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