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Journal of applied physics, 2009-04, Vol.105 (8), p.083715-083715-4
2009
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Thermal emittance and response time measurements of a GaN photocathode
Ist Teil von
  • Journal of applied physics, 2009-04, Vol.105 (8), p.083715-083715-4
Ort / Verlag
American Institute of Physics
Erscheinungsjahr
2009
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
  • We present the measurements of thermal emittance and response time for a GaN photocathode illuminated with 5 ps pulses at 260 nm wavelength. The thermal emittance was measured downstream of a 100 kV dc gun using a solenoid scan with a wire scanner and a beam viewscreen and was found to be 1.35 ± 0.11   mm mrad normalized rms emittance per 1 mm rms of illuminated spot size. The response time of the photoemitted electrons was evaluated using a deflecting mode rf cavity synchronized to the laser pulses and was found to be prompt within the time resolution capability of our setup.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0021-8979
eISSN: 1089-7550
DOI: 10.1063/1.3110075
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_3110075
Format

Weiterführende Literatur

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