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Effects of the high-temperature-annealed self-buffer layer on the improved properties of ZnO epilayers grown by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy on a -plane sapphire substrates
Ist Teil von
Journal of applied physics, 2007-10, Vol.102 (7), p.073505-073505-4
Ort / Verlag
American Institute of Physics
Erscheinungsjahr
2007
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
The use of the high-temperature-annealed self-buffer layer (HITAB) enabled to observe free
A
-and
B
-exciton emissions at
9
K
from ZnO heteroepitaxial films grown by the sputtering epitaxy method using a helicon-wave-excited plasma on uniaxially nearly lattice-matched
(
11
2
¯
0
)
Al
2
O
3
substrates. The result was correlated with a twofold decrease in the densities of threading dislocations having both the screw and edge components, according to the dislocation concealing in ZnO HITAB due to lateral mass transport of low-temperature deposited ZnO nanocrystalline grains during high temperature annealing.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0021-8979
eISSN: 1089-7550
DOI: 10.1063/1.2786090
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_2786090
Format
–
Weiterführende Literatur
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