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Electron traps and hysteresis in pentacene-based organic thin-film transistors
Ist Teil von
Applied physics letters, 2005-12, Vol.87 (24)
Erscheinungsjahr
2005
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
In the absence of charge storage or slow polarization in the gate dielectric, the hysteresis in the current-voltage (I−V) characteristics of pentacene-based organic thin-film transistors (OTFTs) is dominated by trapped electrons in the semiconductor. The immobile previously stored negative charge requires extra holes to balance it, resulting in the early establishment of the channel and extra drain current. Inferred from I−V characteristics, this simple electrostatic model qualitatively explains memory effects in pentacene-based OTFTs, and was verified by a time domain measurement.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.2146059
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_2146059
Format
–
Weiterführende Literatur
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