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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Surface plasmon enhanced spontaneous emission rate of InGaN ∕ GaN quantum wells probed by time-resolved photoluminescence spectroscopy
Ist Teil von
  • Applied physics letters, 2005-08, Vol.87 (7), p.071102-071102-3
Ort / Verlag
American Institute of Physics
Erscheinungsjahr
2005
Quelle
AIP Journals Complete
Beschreibungen/Notizen
  • We observed a 32-fold increase in the spontaneous emission rate of InGaN/GaN quantum well (QW) at 440 nm by employing surface plasmons (SPs) probed by time-resolved photoluminescence spectroscopy. We explore this remarkable enhancement of the emission rates and intensities resulting from the efficient energy transfer from electron-hole pair recombination in the QW to electron vibrations of SPs at the metal-coated surface of the semiconductor heterostructure. This QW-SP coupling is expected to lead to a new class of super bright and high-speed light-emitting diodes (LEDs) that offer realistic alternatives to conventional fluorescent tubes.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.2010602
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_2010602
Format

Weiterführende Literatur

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