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Current-voltage (I–V) characteristics of GaAs-based resonant tunneling diodes have been investigated in the presence of a perpendicular magnetic field. Electron resonant tunneling is strongly suppressed by the applied magnetic field, leading to peak current decreasing with increasing magnetic field. The observed plateau-like structures appear in negative differential resistance region on the I–V curves and are magnetic-field dependent. The plateau-like structures are due to the coupling between the energy levels in the emitter well and in the main quantum well.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.1682690
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_1682690
Format
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Weiterführende Literatur
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