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Due to its indirect bandstructure, bulk crystalline silicon is generally regarded as a poor light emitter. In contrast to this common perception, we report here on surprisingly large external photoluminescence quantum efficiencies of textured bulk crystalline silicon wafers of up to 10.2% at T=130 K and of 6.1% at room temperature. Using a theoretical model to calculate the escape probability for internally generated photons, we can conclude from these experimental figures that the radiative recombination probability or internal luminescence quantum efficiency exceeds 20% at room temperature.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.1572473
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_1572473
Format
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Weiterführende Literatur
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