Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Ergebnis 22 von 158

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Evolving shock-wave profiles measured in a silicon crystal by picosecond time-resolved x-ray diffraction
Ist Teil von
  • Applied physics letters, 2000-09, Vol.77 (13), p.1967-1969
Erscheinungsjahr
2000
Quelle
AIP Scitation Journals Complete
Beschreibungen/Notizen
  • Picosecond time-resolved x-ray diffraction is used to probe single-crystal silicon under pulsed-laser irradiation (300 ps pulse at 1.4 J/cm2) at an interval of 60 ps. The observed rocking curves show shock compression of the silicon lattice by the laser irradiation. Uniaxial strain profiles perpendicular to the Si(111) plane are estimated using dynamical x-ray diffraction theory. The temporal and spatial evolution of the profiles indicates a propagating shock wave with the velocity of 9.4 km/s inside the silicon crystal. The observed maximum compression is 1.05%, which corresponds to a pressure of 2.18 GPa.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.1313297
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_1313297
Format

Weiterführende Literatur

Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX