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Using cross-sectional scanning tunneling microscopy, we have investigated factors which influence interfacial roughness in InGaAs/GaAs heterostructures and have found that the roughness of the growth front and In segregation are two major factors influencing the interfacial roughness. In addition, we noticed no preferential clustering of indium atoms along the [001] growth direction as previously reported by others. Furthermore, a growth procedure which combines substrate temperature ramping with a growth interruption results in an atomically smooth interface.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.124795
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_124795
Format
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Weiterführende Literatur
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