Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Zur Ergebnisliste
Ergebnis 14 von 4198
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Design, fabrication and characterisation of strained Si∕SiGe MOS transistors
IEE proceedings. Circuits, devices, and systems, 2004-10, Vol.151 (5), p.431
2004
Volltextzugriff (PDF)

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Design, fabrication and characterisation of strained Si∕SiGe MOS transistors
Ist Teil von
  • IEE proceedings. Circuits, devices, and systems, 2004-10, Vol.151 (5), p.431
Erscheinungsjahr
2004
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1350-2409
DOI: 10.1049/ip-cds:20040995
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1049_ip_cds_20040995
Format
–

Weiterführende Literatur

Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX