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Characteristics of SOI CMOS circuits made in N/N+/N oxidised porous silicon structures
Electronics letters, 1986-11, Vol.22 (24), p.1291-1293
1986
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Characteristics of SOI CMOS circuits made in N/N+/N oxidised porous silicon structures
Ist Teil von
  • Electronics letters, 1986-11, Vol.22 (24), p.1291-1293
Ort / Verlag
London: Institution of Electrical Engineers
Erscheinungsjahr
1986
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0013-5194
eISSN: 1350-911X
DOI: 10.1049/el:19860886
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1049_el_19860886
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Electronics, Exact sciences and technology, Integrated circuits, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

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