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1.5–1.7 μm v.p.e. InGaAsP/InP c.w. lasers
Electronics letters, 1980, Vol.16 (13), p.516
Olsen, G.H.
Zamerowski, T.J.
Digiuseppe, N.J.
1980
Volltextzugriff (PDF)
Details
Autor(en) / Beteiligte
Olsen, G.H.
Zamerowski, T.J.
Digiuseppe, N.J.
Titel
1.5–1.7 μm v.p.e. InGaAsP/InP c.w. lasers
Ist Teil von
Electronics letters, 1980, Vol.16 (13), p.516
Erscheinungsjahr
1980
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0013-5194
eISSN: 1350-911X
DOI: 10.1049/el:19800361
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1049_el_19800361
Format
–
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