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Implantation of P ions in SiO2 layers with embedded Si nanocrystals
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2004-08, Vol.222 (3-4), p.497-504
2004

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Implantation of P ions in SiO2 layers with embedded Si nanocrystals
Ist Teil von
  • Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2004-08, Vol.222 (3-4), p.497-504
Erscheinungsjahr
2004
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0168-583X
eISSN: 1872-9584
DOI: 10.1016/j.nimb.2004.03.076
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1016_j_nimb_2004_03_076
Format
–

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