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Fully pseudomorphic Si/SiGe/Si heterostructures for p-channel field effect devices
Ist Teil von
Thin solid films, 1997-02, Vol.294 (1), p.160-165
Ort / Verlag
Elsevier B.V
Erscheinungsjahr
1997
Link zum Volltext
Quelle
EZB-NALI5-00465 Elsevier Archive NL
Beschreibungen/Notizen
A variety of electrical measurements on the Si/Si
1−
x
Ge
x
/Si heterostructure are surveyed. From these measurements it has been possible to deduce effective masses and their dependence on carrier sheet density, the density of heterointerface charge and the interface roughness parameters, and the deformation potential for acoustic phonon scattering. Some of this information is used in a discussion of the room temperature performance of a metal-oxide semiconductor gated enhancement mode device.