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Beschreibungen/Notizen
The step arrangements on the surfaces of rapidly cooled Si(111) misoriented in [12
3
] and [
12
3] are investigated. We show that the step arrangements on the quenched surface are greatly influenced upon the annealing and cooling conditions. We also present the growth process of the (7 × 7) domains on cooling rapidly across the (1 × 1)−(7 × 7) transition temperature.