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Technological aspects of epitaxial CoSi2 layers for CMOS
Applied surface science, 1993-11, Vol.73, p.19-24
1993
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Technological aspects of epitaxial CoSi2 layers for CMOS
Ist Teil von
  • Applied surface science, 1993-11, Vol.73, p.19-24
Ort / Verlag
Amsterdam: Elsevier Science
Erscheinungsjahr
1993
Quelle
Access via ScienceDirect (Elsevier)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0169-4332
eISSN: 1873-5584
DOI: 10.1016/0169-4332(93)90141-w
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1016_0169_4332_93_90141_W
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Electronics, Exact sciences and technology, Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology), Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

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