Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
In this paper, we report a new method to fabricate oxynitride/oxide gate dielectrics for MOS devices. This method utilizes a thin layer of oxynitride as a membrane for controlled diffusion of
O
2 and oxidation of Si at high temperatures with low thermal budget. MOS devices made with these oxynitride/oxide structures have interface properties like thermal
SiO
2 with a structure resistant to boron diffusion.