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Study of electrical properties of SiO2 grown over plasma-cleaned silicon surfaces
Solid-state electronics, 1991-12, Vol.34 (12), p.1463-1465
1991
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Study of electrical properties of SiO2 grown over plasma-cleaned silicon surfaces
Ist Teil von
  • Solid-state electronics, 1991-12, Vol.34 (12), p.1463-1465
Ort / Verlag
Oxford: Elsevier Science
Erscheinungsjahr
1991
Quelle
Elsevier Journal Backfiles on ScienceDirect (DFG Nationallizenzen)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0038-1101
eISSN: 1879-2405
DOI: 10.1016/0038-1101(91)90047-3
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1016_0038_1101_91_90047_3
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Electronics, Exact sciences and technology, Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology), Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

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