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New diagnostic aspects of high rate a-Si:H deposition in a VHF plasma
Ist Teil von
Journal of non-crystalline solids, 1996-05, Vol.198, p.1038-1041
Ort / Verlag
Elsevier B.V
Erscheinungsjahr
1996
Link zum Volltext
Quelle
Elsevier ScienceDirect Journals Complete
Beschreibungen/Notizen
An a-Si:H deposition plasma operated in the wide frequency range from 32 to 180 MHz was investigated to identify frequency effects on the plasma bulk (density, power dissipation) and on the sheaths. Results are presented on the electron density, plasma impedance and power coupling efficiency, as well as measurements of the flux of ions to a growth surface and their energetic distribution. The results help to explain the observed increased film growth rate in a very high frequency plasma.