Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Ergebnis 10 von 87
Journal of materials science. Materials in electronics, 2022-06, Vol.33 (18), p.14419-14425
2022
Volltextzugriff (PDF)

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Ga doping induced structural and optical modification in $$\hbox {Ge}_{2}\hbox {Sb}_{2}\hbox {Te}_{5}$$ thin films
Ist Teil von
  • Journal of materials science. Materials in electronics, 2022-06, Vol.33 (18), p.14419-14425
Erscheinungsjahr
2022
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0957-4522
eISSN: 1573-482X
DOI: 10.1007/s10854-022-08365-9
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1007_s10854_022_08365_9
Format

Weiterführende Literatur

Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX